中科院院士：中國光刻技術與國外差距15-20年

　　據半導體投資聯盟報道，9 月 17 日，2019 中國集成電路設計大會在青島市嶗山區正式召開，中科院院士劉明在演講中指出，國內的光刻技術與國外技術差距仍為 15～20 年，是集成電路領域中差距最大的環節。

　　關于光刻膠技術，劉明表示，我國在 EUV 光源、多層膜、掩膜、光刻膠、超光滑拋光技術等方面取得了一些研究進展。但總的來說，國內的光刻技術與國外技術差距仍為 15～20 年，是集成電路領域中差距最大的環節。

　　在邏輯器件方面，劉明指出，國內在低功耗新原理邏輯器件的機理、模型、材料、結構和集成技術上開展了前瞻性研究。國內優勢企業、高校和研究所在硅基邏輯器件的成套先導技術上開展了系統研究，為產業發展提供了技術知識產權的幫助。

　　另外，劉明還表示，中國在新型存儲器前沿和關鍵技術等方面均開展了系統研究;學術界與產業界合作緊密，開發了 RRAM、PRAM 和 MRAM 的大規模集成工藝。

　　最后，劉明強調，IC 的快速發展是信息化的核心和基礎，器件持續微縮的 More than Moore 路線，我國很難實現超越，但這是創新的基礎，必須夯實，沒有彎道可走。

　　據悉，目前荷蘭 ASML 公司的 EUV 光刻機已經可以制造 7nm 及以下工藝，但是國內的光刻機只能做到 90nm 工藝級別，多數是用在低端生產線上，或者是面板生產線上。
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