三星即將開始量產(chǎn)第三代4納米芯片 將穩(wěn)定制程早期階段的良率問題

　　據(jù) BusinessKorea 報道，三星將于今年上半年開始量產(chǎn)第三代 4 納米芯片，將穩(wěn)定制程早期階段的良率問題，以及提升性能、功耗和做出面積改進。

　　三星電子 12 日公布的《三星電子事業(yè)報告書》中顯示，三星將于今年上半年開始量產(chǎn)基于 4nm 工藝的 2.3代芯片。

　　這是三星電子首次提及 4 納米后續(xù)版本的具體量產(chǎn)時間。與 4 納米芯片的早期版本 SF4E 相比，第二代和第三代產(chǎn)品表現(xiàn)出了更好的性能，而且還帶來了更低的功耗和更小的面積。

　　不過，三星電子在 SF4E 芯片實現(xiàn)商用之后在芯片產(chǎn)量的管理上也遇到了一系列難題，最終因為能耗表現(xiàn)不佳再加上產(chǎn)能限制將大客戶高通拱手讓給了臺積電。

　　業(yè)內(nèi)人士估計，三星電子目前 4 納米工藝良率可達到 60%，而臺積電同類型良率可達到 70~80%。專家們認為，三星電子良品率正在迅速提高，后續(xù)產(chǎn)品的量產(chǎn)也在加快。

　　隨著三星電子在先進工藝上不斷突破，在性能提高的前提下保證產(chǎn)能，預計可在 5nm 級以上的工藝量產(chǎn)方面與臺積電進一步進行競爭。

　　相信常看IT之家的用戶大都清楚，當下最先進的半導體工藝是 3nm 級別，但無論是臺積電還是三星目前的主要產(chǎn)品還是 4nm 和 5nm。

　　根據(jù)市場研究公司 Counterpoint Research 的數(shù)據(jù)，截至去年第三季度，4 納米和 5 納米工藝占銷售額占比最高，達到了 22%，超過了 6 納米和 7 納米工藝的 16% 和 16、14 和 12 納米工藝的 11%。
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