三星公布最新工藝技術(shù)路線圖 計劃 2025 年推出 2 納米 SF2 工藝

　　根據(jù)三星代工(Samsung Foundry)今天在年度三星代工論壇(SFF 2023)上公布的最新工藝技術(shù)路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 納米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 納米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還公布了 SF2 工藝的一些特性。

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　　三星的 SF2 工藝是在今年早些時候推出的第三代 3 納米級(SF3)工藝的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化的。與 SF3 相比，SF2 工藝可以在相同的頻率和復(fù)雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和復(fù)雜度下提高 12% 的性能，在相同的性能和復(fù)雜度下減少 5% 的面積。為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列先進(jìn)的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

　　繼 SF2 之后，三星將在 2026 年推出針對高性能計算(HPC)優(yōu)化的 SF2P，以及于 2027 年推出針對汽車應(yīng)用優(yōu)化的 SF2A 工藝。同樣在 2027 年，該公司還計劃開始使用 SF1.4(1.4 納米級)制造工藝進(jìn)行量產(chǎn)。三星的 2 納米級工藝將與臺積電的 N2(2 納米級)工藝大致同步，比英特爾的 20A 工藝晚一年左右。

　　IT之家注意到，除了不斷提升自己的工藝技術(shù)，三星代工還計劃繼續(xù)發(fā)展其射頻技術(shù)。該公司預(yù)計其 5 納米射頻工藝技術(shù)將于 2025 年上半年準(zhǔn)備就緒，與舊版 14 納米射頻工藝相比，三星的 5 納米射頻預(yù)計可以提高 40% 的功耗效率，提高約 50% 的晶體管密度。此外，三星還將于 2025 年開始生產(chǎn)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體，用于消費品、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域等各種應(yīng)用。

　　在擴(kuò)大技術(shù)供應(yīng)方面，三星代工仍然致力于擴(kuò)大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的制造能力。三星計劃于 2023 年下半年在其平澤 3 號生產(chǎn)線(P3)開始量產(chǎn)芯片。泰勒市新建廠房預(yù)計將于今年年底完工，并于 2024 年下半年開始運營。三星目前的計劃是到 2027 年將其潔凈室容量比 2021 年增加 7.3 倍。
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