消息稱谷歌 Tensor G5 芯片基于臺積電 3nm 制程，已成功進入流片階段

　　IT之家 7 月 1 日消息，臺媒《工商時報》近日報道稱，預計用于谷歌明年旗艦智能手機的 Tensor G5 芯片將基于臺積電 3nm 制程，已成功進入流片階段。

　　

▲ 谷歌 Tensor SoC流片是芯片正式量產前的關鍵階段，用小規模的芯片試產檢驗芯片設計是否正確。對于首次完全自研手機 SoC 的谷歌而言，如果順利通過流片，那離 Tensor G5 的成功就近了一大步。

 

　　Tensor G5 的全自研，將意味著谷歌可完成對 Pixel 設備從芯片到設備整機再到操作系統乃至應用程序的全方位掌控，有助于實現更深度的軟硬件整合。

　　最終，谷歌能更快將 AI 應用部署在自家設備上，打造差異化產品，從而在競爭激烈的智能手機市場中脫穎而出。

　　

 

　　根據IT之家此前報道，谷歌 Tensor G5 芯片代號 Laguna Beach“拉古納海灘”，將通過臺積電 InFo_PoP 晶圓級扇出封裝技術實現 SoC 和 DRAM 的堆疊，支持 16GB 以上內存。