韓國半導(dǎo)體廠商研發(fā) ALD 新技術(shù)，降低 EUV 工藝步驟需求

　　IT之家 7 月 16 日消息，韓媒 The Elec 報道，韓國半導(dǎo)體公司周星工程(Jusung Engineering)最新研發(fā)出原子層沉積(ALD)技術(shù)，可以在生產(chǎn)先進(jìn)工藝芯片中降低極紫外光刻(EUV)工藝步驟需求。

　　IT之家注：極紫外光刻(EUV)又稱作超紫外線平版印刷術(shù)，是一種使用極紫外光波長的光刻技術(shù)，目前用于 7 納米以下的先進(jìn)制程，于 2020 年得到廣泛應(yīng)用。

　　周星工程董事長 Chul Joo Hwang 表示當(dāng)前 DRAM 和邏輯芯片的擴(kuò)展已達(dá)到極限，因此需要像 NAND 一樣，通過堆疊晶體管的方式克服這個問題。

　　半導(dǎo)體行業(yè)如果想要把晶體管微縮到更小尺寸，一種方案就是堆疊晶體管，其中一個佐證是深紫外線(DUV)設(shè)備有望用于生產(chǎn) 3D DRAM。

　　Hwang 說，隨著堆疊變得越來越重要，ALD 機(jī)器的需求也將增加。III-V 和 IGZO 半導(dǎo)體的生產(chǎn)也需要 ALD 設(shè)備。

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